Especificaciones técnicas:

·         Voltaje de aceleración de 300 kV.

·         Cañón de electrones de emisión de campo tipo Schottky.

·         Resolución entre puntos de 0.17 nm en modo TEM y 0.14 nm en modo STEM.

·         Cámara CCD multibarrido (1k x 1k) para la adquisición digital de las imágenes.

·         Sistema de microanálisis por XEDS (OXFORD INCA).

·         Espectrómetro ENFINA para EELS (resolución en energía de 1.3 eV).

·         En modo STEM cuenta con un detector ADF (GATAN) y un detector HAADF para la adquisición de imágenes de contraste Z.

·         El goniómetro permite ± 25º de inclinación de la muestra.

·         Portamuestras GATAN de doble inclinación y de bajo fondo (Be).

 

La resolución entre puntos alcanzable (0.17 nm) combinado con un giro de la muestra de ± 25º confieren a este microscopio excelentes características para trabajos de alta resolución. Tiene instalada una unidad STEM y detectores de campo oscuro de ángulo alto e intermedio (HAADF y LAADF). Desde el punto de vista analítico tiene acoplados un detector de XEDS y un espectrómetro ENFINA. La utilización conjunta de estos espectrómetros junto con la unidad de STEM y los detectores de campo oscuro asociados, permiten llevar a cabo caracterización química a nivel atómico.